로옴(ROHM)이 기지국·데이터 센터를 비롯한 산업기기 및 각종 사물 인터넷(IoT) 통신기기의 전원 회로용으로 업계 최고 수준인 8V까지 게이트 내압(게이트 - 소스 정격 전압)을 높인 150V 내압 GaN HEMT[2] ‘GNE10xxTB 시리즈(GNE1040TB)’의 양산 체제를 확립했다.

보통 GaN 디바이스는 저 ON 저항과 고속 스위칭 성능이 뛰어나, 각종 전원의 저소비 전력화 및 주변 부품의 소형화에 도움을 줄 디바이스로써 활용이 기대되고 있지만, 게이트 내압이 낮아 스위칭 시 디바이스 신뢰성에 대한 과제가 있었다.

신제품은 이러한 과제에 대응해 독자적 구조를 통해 게이트 - 소스 정격 전압을 6V에서 8V까지 높이는 데 성공했다. 이에 따라 스위칭 시 6V를 넘는 오버슈트 전압이 발생하더라도 디바이스가 열화하지 않으므로 전원 회로의 설계 마진 향상 및 고신뢰화에 기여한다. 또 대전류 대응 및 방열성이 우수하고 범용성이 높은 패키지로 제품화해 실장 공정에서 핸들링이 쉽다.

신제품은 올 3월 양산 체제를 확립했으며 생산 거점은 전공정 로옴 하마마츠(하마마츠), 후공정 로옴(교토)이다. 로옴은 저전력·소형화에 기여하는 GaN 디바이스를 ‘EcoGaN™’으로 라인업하고, 디바이스 성능을 더 높이기 위해 노력하고 있다.

로옴은 앞으로 ‘Nano Pulse Control™’을 비롯해 아날로그 전원 기술을 활용한 제어 IC 및 이런 기술을 탑재한 모듈 개발을 추진해 GaN 디바이스가 지닌 성능을 최대화하는 파워 솔루션을 제공, 지속 가능한 사회에 이바지해나갈 것이다.

이은구 기자  webmaster@jybtv.kr

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